爱游戏平台游戏:德州仪器请求具有不对称绝缘层的半导体设备及其制作办法专利绝缘层具有不一样斜率的侧壁

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  国家知识产权局信息数据显现，德州仪器公司请求一项名为“具有不对称绝缘层的半导体设备及其制作办法”的专利，公开号CN121398072A，请求日期为2025年6月。

  专利摘要显现，本请求触及具有不对称绝缘层的半导体设备及其制作办法。例如，一种半导体设备[100]包含半导体层[108]、设置在所述半导体层中的源极区[110]、设置在所述半导体层中的漏极区[114]、在所述源极区与所述漏极区之间设置在所述半导体层中的绝缘层[118]，以及在所述源极区与所述漏极区之间设置在所述半导体层上方的栅极[122]，所述栅极掩盖所述绝缘层的一部分。所述绝缘层具有朝向所述源极区延伸的榜首侧壁[213]和朝向所述漏极区延伸的第二侧壁[214]，所述榜首侧壁具有榜首斜率而且所述第二侧壁具有大于所述榜首斜率的第二斜率。

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