爱游戏平台游戏:南京盛鑫半导体等请求根据C阶梯掺杂的硅基AlGaNGaN HEMT外延结构及其成长办法专利

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  国家知识产权局信息数据显现，南京盛鑫半导体资料有限公司、南京国盛电子有限公司请求一项名为“一种根据C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其成长办法”的专利，公开号CN121078751A，请求日期为2025年8月。专利摘要显现，本发明公开了一种根据C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其成长办法，所述外延结构包含从下至上顺次层叠的硅衬底、AlN缓冲层、阶梯AlGaN应力开释层、GaN晶种衬托粗化层、GaN外延层、榜首AlN刺进层、榜首C掺杂GaN层、第二AlN刺进层、第二C掺杂GaN层、第三AlN刺进层、无掺杂GaN沟道层、第四AlN刺进层、AlGaN势垒层、GaN电容层；所述榜首C掺杂GaN层包含从下至上顺次层叠的多个榜首C掺杂单元层，所述多个榜首C掺杂单元层的C掺杂浓度从下至上顺次递加；所述第二C掺杂GaN层包含从下至上顺次层叠的多个第二C掺杂单元层，所述多个第二C掺杂单元层的C掺杂浓度从下至上顺次递加，且任一第二C掺杂单元层的C掺杂浓度高于任一榜首C掺杂单元层的C掺杂浓度。

  天眼查资料显现，南京盛鑫半导体资料有限公司，成立于2021年，坐落南京市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本60000万人民币。经过天眼查大数据分析，南京盛鑫半导体资料有限公司参加招投标项目93次，专利信息27条，此外企业还具有行政许可48个。

  南京国盛电子有限公司，成立于2003年，坐落南京市，是一家以从事专业方面技能服务业为主的企业。企业注册资本20779.2934万人民币。经过天眼查大数据分析，南京国盛电子有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目29次，产业线条，此外企业还具有行政许可208个。

  声明：商场有危险，出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成，仅供参考，不构成个人出资主张。