爱游戏平台游戏:镓楠半导体请求新式氮化镓HEMT器材专利下降过孔的加工难度

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  国家知识产权局信息数据显现，深圳镓楠半导体科技有限公司请求一项名为“一种新式氮化镓HEMT器材”的专利，公开号CN121398059A，请求日期为2025年10月。

  专利摘要显现，本发明触及一种新式氮化镓HEMT器材，其间新式氮化镓HEMT器材包含半导体层、坐落半导体层上方的榜首栅极金属层；设置在半导体层、榜首栅极金属层之间的栅极组织，栅极组织包含沿榜首方向延伸的榜首场板、第二场板、第三场板，榜首场板坐落半导体层的上方，第二场板坐落榜首场板的上方，第三场板坐落在第二场板的上方；其间，榜首场板与第二场板之间经过衔接层相连，第二场板与榜首栅极金属层之间经过多个榜首过孔相连，第三场板与榜首栅极金属层之间经过多个第二过孔相连；衔接层沿笔直方向躲避榜首过孔、和/或第二过孔的方位设置。本发明可经过衔接层躲避榜首过孔和第二过孔的设置，下降过孔的加工难度，防止衔接层方位的洼陷影响过孔和对应元件的触摸。

  天眼查资料显现，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，坐落深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。经过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司产业线条，此外企业还具有行政许可7个。

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