爱游戏平台游戏:台积电重申工艺节点的领导地位 展现从N2到A14的前进

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  在Open Innovation PlatformECO论坛上，台积电（TSMC）展现了其近期技能道路图，强调了在AI作业负载继续不断的添加的布景下，节点开发及功能与能效之间平衡所面对的应战。公司宣告N2工艺现已进入量产阶段，估计N2P工艺将在2026年头开端规划提高。

  台积电方案于2026年末交给第一批A16芯片，该工艺将纳米片晶体管与反面超级电源轨（SPR）相结合。节点演进道路，继而开展至具有SPR的A16，终究迈向更先进的A14节点。

  台积电发布的数据标明，在功耗坚持不变的条件下，从N7到A14节点的改变带来了大约1.8倍的功能提高，一起总体能效提高约4.2倍。针对A16，台积电猜测其在相同电压下的时钟速度将比N2P高8-10%，在到达类似处理才能的情况下能源消耗将下降15-20%。关于期望继续选用FinFET工艺的客户，台积电仍供给N3C和N4C等升级版FinFET选项，其间N4C已被部分客户实践使用。

  值得一提的是，台积电还介绍了NanoFlex，一种随N2工艺推出的单元级调优办法，使规划团队能够在速度和能效之间灵敏权衡。在适宜的规划中，该办法最多可完成15%的频率提高或最高30%的能耗下降。

  在个性化定制方面，台积电与客户的深度合作为其赢得了职业身先士卒的优势。例如，台积电为英伟达（NVIDIA）出产“Blackwell”芯片时，选用了专为该公司定制的4N 4纳米级工艺节点，该芯片与八层堆叠的HBM3E高速内存一起封装在CoWoS-S封装内。正是经过节点定制、与客户及EDA供货商严密集成，以及在工艺节点和先进封装方面的领导地位，台积电继续稳居半导体制造业的领导地位。