爱游戏平台游戏:创世舫请求半桥电路和装入在封装中的电子部件专利在第三操作形式期间III-N耗尽形式晶体管的导通电阻的添加小于5%

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  国家知识产权局信息数据显现，创世舫科技有限公司请求一项名为“半桥电路和装入在封装中的电子部件”的专利，公开号CN121038348A，请求日期为2020年3月。专利摘要显现，供给一种半桥电路和装入在封装中的电子部件。半桥电路包含连接到高电压节点的高侧开关；连接到接地节点的低侧开关，包含低电压增强形式晶体管和高电压III-N耗尽形式晶体管；连接到高侧开关与低侧开关之间的节点的电感器。在榜首操作形式下，高侧开关导通且低侧开关截止时，电流在榜首方向上流过高侧开关和电感器；在第二操作形式下，高侧开关截止且低侧开关截止时，电流在第二方向上流过低侧开关和电感器；在第三操作形式下，高侧开关截止且低侧开关导通时，电流在第二方向上流过低侧开关和电感器。在第二操作形式期间，流过低侧开关的反向DC电流大于50A；在第三操作形式期间，III-N耗尽形式晶体管的导通电阻的添加小于5%。

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