爱游戏平台游戏:经纬开物请求MOSFET制作工艺、场效应晶体管及功率设备专利下降对SWA的精度和规模要求

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经纬开物请求MOSFET制作工艺、场效应晶体管及功率设备专利下降对SWA的精度和规模要求

  国家知识产权局信息数据显现,深圳市经纬开物仪器有限公司请求一项名为“MOSFET制作工艺、场效应晶体管以及功率设备”的专利,公开号CN121078748A,请求日期为2025年7月。

  专利摘要显现,本请求触及半导体技术领域,特别触及一种MOSFET制作工艺、场效应晶体管以及功率设备,所述MOSFET制作工艺包含对原始衬底进行离子注入,以在所述原始衬底中构成源极区域和漏极区域;在所述原始衬底的外表先构成隔离层,再在所述隔离层的上方构成多晶硅层;对所述多晶硅层进行刻蚀和图画化,以构成栅极。本请求的最大的意图是供给一种MOSFET制作工艺,旨在下降对SWA的精度和规模要求。

  天眼查资料显现,深圳市经纬开物仪器有限公司,成立于2023年,坐落深圳市,是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。经过天眼查大数据分析,深圳市经纬开物仪器有限公司参加招投标项目9次,产业线条,此外企业还具有行政许可163个。

  声明:商场有危险,出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成,仅供参考,不构成个人出资主张。