爱游戏平台游戏:意法半导体请求用于编程或擦除割裂栅极存储器单元的下降功耗专利添加载流子迁移率以下降功耗

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  国家知识产权局信息数据显现，意法半导体世界公司请求一项名为“用于编程或擦除割裂栅极存储器单元的下降功耗、存储器单元和制作办法”的专利，揭露号CN121366621A，请求日期为2025年7月。

  专利摘要显现，本揭露的各施行例触及用于编程或擦除割裂栅极存储器单元的下降功耗、存储器单元和制作办法。一种非易失性存储器器材包含存储器单元，该存储器单元具有被掩埋在半导体衬底中的割裂栅极状况晶体管和竖直型挑选晶体管。该存储器器材包含被规划成在通过热载流子对存储器单元进行编程或擦除操作期间添加竖直型挑选晶体管的半导体沟道中的载流子的迁移率的结构。

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