爱游戏平台游戏:北方集成电路技术创新中心请求一种半导体结构及其构成办法专利进步器材的可靠性

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  国家知识产权局信息数据显现，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司请求一项名为“一种半导体结构及其构成办法”的专利，公开号CN121076054A，请求日期为2024年6月。

  专利摘要显现，本请求供给一种半导体结构及其构成办法，所述半导体结构的构成办法有：在半导体衬底上构成复合介质层；刻蚀所述介质层以及半导体衬底至构成深沟槽，所述深沟槽的侧壁具有替换排布的若干尖角和凹部；选用离子束刻蚀工艺，调整刻蚀离子的入射角，使所述刻蚀离子别离作用于所述深沟槽侧壁的不一样的区域，以去除部分或许悉数所述尖角，并使所述深沟槽侧壁尖角与所述凹部之间的均匀距离变小；去除所述复合介质层。所描绘的办法可使深沟槽硅电容器的击穿电压均匀分布，进步器材的可靠性。

  天眼查资料显现，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，坐落北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。经过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参加招投标项目22次，产业线条，此外企业还具有行政许可125个。

  声明：商场有危险，出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成，仅供参考，不构成个人出资主张。