爱游戏平台游戏:使用资料请求用于4F²的超薄主体阵列晶体管专利沟道主体厚度比源极漏极区域部分厚度少超5%

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  国家知识产权局信息数据显现，使用资料公司请求一项名为“用于4F²的超薄主体阵列晶体管”的专利，公开号CN121014267A，请求日期为2024年9月。专利摘要显现，本技能包含笔直单元阵列晶体管（VCAT），其包含在榜首水平方向上安置的位线和在第二水平方向上安置的字线。阵列包含沟道，在与榜首方向和第二水平方向大体上正交的笔直方向上延伸，使得位线与多个沟道的源极/漏极区域相交，字线与多个沟道的栅极区域相交。阵列包含其间沟道具有至少一个源极/漏极区域以及设置在榜首端与第二端之间的沟道主体。阵列包含其间沟道主体具有比至少一个源极/漏极区域的至少一部分的厚度少了大于或约5%的厚度。

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