爱游戏平台游戏:德州仪器请求用于双极结晶体管的半导体加工集成专利

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德州仪器请求用于双极结晶体管的半导体加工集成专利

  国家知识产权局信息数据显现,德州仪器公司请求一项名为“用于双极结晶体管(BJT)的半导体加工集成”的专利,揭露号CN121057282A,请求日期为2025年5月。专利摘要显现,本揭露大体上触及用于双极结晶体管BJT的半导体加工集成。在一实例中,一种半导体设备包含半导体衬底(102)、双极结晶体管BJT、场效应晶体管FET和复合结构。所述半导体衬底(102)包含BJT区(104)、互补FET(CFET)区(110、112),以及在所述BJT区(104)和所述CFET区(110、112)之间的过渡区(106)。所述BJT在所述半导体衬底(102)上的所述BJT区(104)中。所述FET在所述半导体衬底(102)上的所述CFET区(110、112)中。所述复合结构在所述半导体衬底(102)上的所述过渡区(106)中。所述复合结构包含介电资料(704a)。所述介电资料(704a)具有接近并朝向所述CFET区(110、112)的侧壁(2904),而且具有构成所述复合结构的上外表的至少一部分的顶外表。

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