爱游戏平台游戏:深圳真茂佳半导体请求耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备办法专利可以优化栅极邻近的电场

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  国家知识产权局信息数据显现，深圳真茂佳半导体有限公司请求一项名为“一种耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备办法”的专利，公开号CN121368153A，请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现，本请求提及一种耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备办法，该结构包含具有外延层的衬底，外延层外表延伸构成有耗尽沟道注入层在外延层内，外延层外表界说有中心区域及外围区域。外围区域下方延伸构成有阱区在耗尽沟道注入层中，耗尽沟道注入层及阱区的外表延伸构成有源极注入层在耗尽沟道注入层及阱区中。在中心区域下方构成有沟槽，沟槽贯穿源极注入层及耗尽沟道注入层并延伸至外延层，沟槽的侧壁与阱区之间留存有耗尽沟道注入层以构成耗尽沟道，耗尽沟道的厚度为0.1‑2um，沟槽底面延伸构成有栅氧维护结在外延层中，沟槽内设有栅极。本请求具有经过精准的操控工艺构成的特定厚度的耗尽沟道及构成的栅氧维护结可以优化栅极邻近的电场的作用。

  天眼查资料显现，深圳真茂佳半导体有限公司，成立于2016年，坐落深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3397.636363万人民币。经过天眼查大数据分析，深圳真茂佳半导体有限公司参加招投标项目4次，产业线条，此外企业还具有行政许可16个。

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