爱游戏平台游戏:集成电路配备中心请求快速获取膜层窄谱刻蚀参数办法专利该办法可以低成本、快速、快捷地得到待测膜层的窄谱刻蚀参数

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  国家知识产权局信息数据显现，北京集成电路配备立异中心有限公司请求一项名为“一种快速获取膜层窄谱刻蚀参数的办法”的专利，公开号CN121385008A，请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现，本发明供给一种快速获取膜层窄谱刻蚀参数的办法，触及半导体技术领域。该办法有获取步、全谱刻蚀参数设定步、主调试步和窄谱刻蚀参数设定步，其间，获取步：获取待测膜层的膜厚和特征元素；全谱刻蚀参数设定步：依据膜厚和特征元素设定对待测膜层进行全谱测验的全谱刻蚀参数；主调试步：调试全谱刻蚀参数，直至对待测膜层进行全谱测验得到的全谱测验成果能到达方针测验需求；窄谱刻蚀参数设定步：将终究的全谱刻蚀参数作为对待测膜层进行窄谱测验的窄谱刻蚀参数。该办法可以低成本、快速、快捷地得到待测膜层的窄谱刻蚀参数。

  天眼查资料显现，北京集成电路配备立异中心有限公司，成立于2019年，坐落北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。经过天眼查大数据分析，北京集成电路配备立异中心有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目4次，产业线条，此外企业还具有行政许可6个。

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